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1 technischeinformation/technicalinformation FP15R12W1T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 ulapproved(e83335) easypim?modulmittrench/feldstoppigbt4undemittercontrolled4diodeundntc easypim?modulewithtrench/fieldstopigbt4andemittercontrolled4diodeandntc vorl?ufigedaten/preliminarydata v ces = 1200v i c nom = 15a / i crm = 30a typischeanwendungen typicalapplications ? ? hilfsumrichter auxiliaryinverters ? ? klimaanlagen airconditioning ? ? motorantriebe motordrives elektrischeeigenschaften electricalfeatures ? ? niedrigeschaltverluste lowswitchinglosses ? ? trenchigbt4 trenchigbt4 ? ? v cesat mitpositivemtemperaturkoeffizienten v cesat withpositivetemperaturecoefficient ? ? niedrigesv cesat lowv cesat mechanischeeigenschaften mechanicalfeatures ? ? al 2 o 3 substrat mit kleinem thermischen widerstand al 2 o 3 substratewithlowthermalresistance ? ? kompaktesdesign compactdesign ? ? l?tverbindungstechnik soldercontacttechnology ? ? robuste montage durch integrierte befestigungsklammern rugged mounting due to integrated mounting clamps modulelabelcode barcodecode128 dmx-code contentofthecode digit moduleserialnumber 1-5 modulematerialnumber 6-11 productionordernumber 12-19 datecode(productionyear) 20-21 datecode(productionweek) 22-23
2 technischeinformation/technicalinformation FP15R12W1T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 100c, t vj max = 175c t c = 25c, t vj max = 175c i c nom i c 15 28 a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 30 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175 p tot 130 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v v ce sat 1,85 2,15 2,25 2,25 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 0,48 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,2 5,8 6,4 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,12 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 0,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 0,89 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,03 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 39 w t d on 0,055 0,055 0,055 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 39 w t r 0,059 0,065 0,065 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 39 w t d off 0,195 0,275 0,28 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 39 w t f 0,145 0,19 0,215 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 600 v, l s = 50 nh v ge = 15 v, di/dt = 550 a/s (t vj = 150c) r gon = 39 w e on 1,30 1,75 1,95 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 600 v, l s = 50 nh v ge = 15 v, du/dt = 3500 v/s (t vj = 150c) r goff = 39 w e off 0,83 1,20 1,35 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 800 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 55 a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 1,05 1,15 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 1,05 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
3 technischeinformation/technicalinformation FP15R12W1T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 15 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 30 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 16,0 14,0 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 15 a, v ge = 0 v i f = 15 a, v ge = 0 v i f = 15 a, v ge = 0 v v f 2,00 2,10 2,10 2,65 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 15 a, - di f /dt = 550 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v i rm 13,0 12,0 12,0 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 15 a, - di f /dt = 550 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v q r 1,20 2,05 2,40 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 15 a, - di f /dt = 550 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v e rec 0,37 0,68 0,80 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 1,75 1,90 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 1,30 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c diode,gleichrichter/diode,rectifier h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1600 v durchlassstromgrenzeffektivwertprochip maximumrmsforwardcurrentperchip t c = 80c i frmsm 30 a gleichrichterausganggrenzeffektivstrom maximumrmscurrentatrectifieroutput t c = 80c i rmsm 30 a sto?stromgrenzwert surgeforwardcurrent t p = 10 ms, t vj = 25c t p = 10 ms, t vj = 150c i fsm 300 245 a a grenzlastintegral i2t-value t p = 10 ms, t vj = 25c t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 450 300 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage t vj = 150c, i f = 15 a v f 0,85 v sperrstrom reversecurrent t vj = 150c, v r = 1600 v i r 1,00 ma w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 1,20 1,35 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 1,15 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
4 technischeinformation/technicalinformation FP15R12W1T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,brems-chopper/igbt,brake-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 100c, t vj max = 175c t c = 25c, t vj max = 175c i c nom i c 15 28 a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 30 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175 p tot 130 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v v ce sat 1,85 2,15 2,25 2,25 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 0,48 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,2 5,8 6,4 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,12 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 0,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 0,89 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,03 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 43 w t d on 0,065 0,065 0,065 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 43 w t r 0,06 0,065 0,065 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 43 w t d off 0,21 0,28 0,285 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 43 w t f 0,17 0,20 0,225 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 600 v, l s = 50 nh v ge = 15 v r gon = 43 w e on 1,35 1,80 2,00 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 600 v, l s = 50 nh v ge = 15 v r goff = 43 w e off 0,85 1,20 1,35 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 800 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 55 a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 1,05 1,15 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 1,05 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
5 technischeinformation/technicalinformation FP15R12W1T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,brems-chopper/diode,brake-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 10 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 20 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c i2t 16,0 a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 10 a, v ge = 0 v i f = 10 a, v ge = 0 v i f = 10 a, v ge = 0 v v f 1,75 1,75 1,75 2,25 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 10 a, - di f /dt = 500 a/s (t vj =150c) v r = 600 v i rm 12,0 10,0 8,00 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 10 a, - di f /dt = 500 a/s (t vj =150c) v r = 600 v q r 0,90 1,70 1,90 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 10 a, - di f /dt = 500 a/s (t vj =150c) v r = 600 v e rec 0,24 0,52 0,59 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 1,75 1,90 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 1,30 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t c = 25c r 25 5,00 k w abweichungvonr100 deviationofr100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung powerdissipation t c = 25c p 25 20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50 3375 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80 3411 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100 3433 k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
6 technischeinformation/technicalinformation FP15R12W1T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min v isol 2,5 kv innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140) ai 2 0 3 kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti > 200 min. typ. max. modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 30 nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t c =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' r aa'+cc' 8,00 6,00 m w h?chstzul?ssigesperrschichttemperatur maximumjunctiontemperature wechselrichter,brems-chopper/inverter,brake-chopper gleichrichter/rectifier t vj max 175 150 c c temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions wechselrichter,brems-chopper/inverter,brake-chopper gleichrichter/rectifier t vj op -40 -40 150 150 c c lagertemperatur storagetemperature t stg -40 125 c anpresskraft fr mech. bef. pro feder mountig force per clamp f 20 - 50 n gewicht weight g 24 g der strom im dauerbetrieb ist auf 30a effektiv pro anschlusspin begrenzt. the current under continuous operation is limited to 30a rms per connector pin.
7 technischeinformation/technicalinformation FP15R12W1T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 v ge = 19 v v ge = 17 v v ge = 15 v v ge = 13 v v ge = 11 v v ge = 9 v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =39 w ,r goff =39 w ,v ce =600v i c [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 0 1 2 3 4 5 6 e on , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 125c e off , t vj = 150c
8 technischeinformation/technicalinformation FP15R12W1T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =15a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 e on , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 125c e off , t vj = 150c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,154 0,0005 2 0,345 0,005 3 0,865 0,05 4 0,736 0,2 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,wechselrichter (rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =39 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c
9 technischeinformation/technicalinformation FP15R12W1T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =39 w ,v ce =600v i f [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =15a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,404 0,0005 2 0,664 0,005 3 1,174 0,05 4 0,808 0,2 durchlasskennliniederdiode,gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,rectifier(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 0 5 10 15 20 25 30 t vj = 25c t vj = 150c
10 technischeinformation/technicalinformation FP15R12W1T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,brems-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c durchlasskennliniederdiode,brems-chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode,brake-chopper(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t c [c] r[ w ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r typ
11 technischeinformation/technicalinformation FP15R12W1T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines j infineon
12 technischeinformation/technicalinformation FP15R12W1T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:2013-10-03 revision:2.2 vorl?ufigedaten preliminarydata nutzungsbedingungen dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved. j infineon

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